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1.(判断题)DRAM上电时储藏单元的内容是全
A.正确
0,而Flash
上电时储藏单元的内容是全
1。
B.错误
(4分)
7.(判断题)十进制数据0x5a与0xa5的同或运
A.正确
算结果为:0x00。(4分)
B.错误
A.正确
FLASH可保存
B.错误
2.(判断题)眼图能够用来解析高速信号的码
8.(判断题)硅二极管的正导游通压降比锗二
间搅乱、抖动、噪声和衰减。
(4分)
极管的大(4分)
A.正确
A.正确
B.错误
B.错误
3.(判断题)以太网交换机将矛盾域限制在每
9.(单项选择题)一空气平行板电容器,两级间距为
个端口,提高了网络性能。
(4
分)
d,充电后板间电压为
u。尔后将电源断开,
A.正确
在平板间平行插入一厚度为
d/3的金属板。此
B.错误
时电容器原板间电压变为
(4分)
4.(判断题)放大电路的输出信号产生非线性
3
失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。
(4
3
分)
4
A.正确
D.不变
B.错误
但电容的大小不是由
5.(判断题)1的
8
位二进制补码是
Q(带电量)或U(电压)决定的,即:
0000_0001,-1
的
8
位
二
进制补码是
C=εS/4πkd。其中,ε
是一个常数,S为电容极
1111_1111。(4分)
板的正对面积,d为电容极板的距离,k则是静
A.正确
电力常量。而常有的平行板电容器
B.错误
电容为C=εS/d.(ε为极板间介质的介电常数,S
6.(判断题)洗衣机,电冰箱等家用电器都使用
为极板面积,d为极板间的距离。)
三孔插座,是由于若是不接地,
家用电器是不
3电容器的电势能计算公式:
E=CU^2/2=QU/2
能工作的。(4
分)
10.(单项选择题)8086CPU内部包括哪些单元(4
分)
,EU
,BIU
,BIU
,EU,BIU
80x86从功能上分执行单元EU(ExecutionUnit),
和总线接口单元BIU(BusInterfaceUnit),执行
单元由8个16位通用寄存器,1个16位标志寄存
器,1个16位暂存寄存器,1个16位算术逻辑单
元ALU及EU控制电路组成。
总线接口单元由4个16位段寄存器
(CS,DS,SS,ES),1个16位的指令指针寄存器,1
个与EU通信的内部暂存器,1个指令队列,1个计
算20位物理地址的加法器∑及总线控制电路组成。
11.(单项选择题)为了防范50Hz的电网电压搅乱
放大器,应该用那种滤波器:(4分)
带阻滤波器
带通滤波器
低通滤波器
高通滤波器
12.(单项选择题)关于SRAM和DRAM,下面说话正
确的是:(4分)
需要准时刷新,否则数据会扔掉
使用内部电容来保存信息
的集成度高于DRAM
D.只要不掉点,DRAM内的数据不会扔掉
【解析】SRAM和DRAM都是随机储藏器,机器掉电
后,两者的信息都将扔掉。它们的最大差异就是:
DRAM是用电容有无电荷来表示信息0和1,为防范
电容漏电而以致读守信息出错,需要周期性地给电
容充电,即刷新;而SRAM是利用触发器的两个稳
态来表示信息0和1,所以不需要刷新。别的,SRAM
的存取速度比DRAM更高,常用作高速缓冲储藏器
Cache。
13.(单项选择题)在RS232串口中,采用哪一种校
验方式:(4分)
校验
海明码校验
多种校验方式的组合
奇偶校验
14.(单项选择题)关于D触发器来说,为了保证可
靠的采样,数据必定在时钟信号的上升沿到来
以前连续牢固一段时间,这个时间称为:(4
分)
保持时间
恢复时间
稳准时间
成马上间
setup/holdtime是测试芯片对输入信号和时
钟信号之间的时间要求.成马上间是指触发器的时
钟信号上升沿到来以前数据牢固不变的时间输入
信号应提前时钟上升沿(如上升沿有效)T时间到
达芯片这个T就是成马上间-Setuptime.如不满
足setuptime,这个数据就不能够被这一时钟打入触发器只有在下一个时钟上升沿数据才能被打入触发器
保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来今后
数据牢固不变的时间若是holdtime不够数据
同样不能够被打入触发器
成马上间(SetupTime)和保持时间
(Holdtime).成马上间是指在时钟边沿前数据信
号需要保持不变的时间保持时间是指时钟跳变边
沿后数据
15.(单项选择题)本征半导体中加入()元素可形
成N型半导体(4分)A.五价
四价
三价
二价
16.(单项选择题)模拟信号数字化的过程是(4
分)
A.采样->量化->编码
B.采样->编码->量化
C.编码->采样->量化
D.量化->编码->采样
17.(单项选择题)在Buck电路中,不能够起到减小纹
波作用的措施是(4分)
采用多项并联的模式
输出滤波电容由陶瓷电容改为容量电解
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