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第三代半导体-氮化镓(GaN)
技术洞察报告
2021 insight of Innovation
in Wide bandgap semiconductor(GaN) industry
氮化镓技术概况
⚫ 技术简介
⚫ 技术发展现状
⚫ 技术创新概况
2
氮化镓 （GaN）简介
氮化镓材料定义:
氮化镓 （GaN）主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV ，也称为宽禁带半导体材料
➢ 氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料
禁带宽度（eV)
第三代半导体
氮化镓 （GaN）
碳化硅 （SiC）
2.3 第二代半导体
砷化镓 （GaAs）
宽禁带、高击穿电场强度和
1.4 第一代半导体 磷化铟 （InP） 高热导率，具有可见光至紫
硅 （Si） 外光的发光特性。适用于半
1.12 锗 （Ge） 高频性能较好，广泛应用 导体照明、高压、高频、大
功率领域
于卫星通信、移动通信和
GPS导航等领域。但资源
产业链成熟、成本低，适用 稀缺，有毒性，对环境危
于低压、低频、中功率场合， 害较大
是目前半导体器件和集成电
路主要制造材料
3
氮化镓(GaN)技术及产业链已初步形成，相关器件快速发展
LED大规模商用化、
萌芽阶段 初始阶段 飞速发展阶段
功率/射频器件快速发展
1969年 1986年-1994年 1998年- 2007年
2008年-至今
技
术
发 日本科学家Maruska等 1、1986年，赤崎勇和天野 1、1998年，美国Cree公 1、2008年，美国Cree公司 1、2014年，英飞凌收购
人采用氢化物气相沉 浩采用MOCVD法获得了 司开发首个碳化硅基GaN
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