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ICS33.060.80M 36YD中华人民共和国通信行业标准YD/T2631.3-2013代替YD/T1081-2000900/1800MHzTDMA数字蜂窝移动通信网SIM-ME接口测试方法第3部分:SIM卡900/1800MHzTDMAdigital cellclarmobiletelecommunicationnetwork test method forSIM-ME interface -Part3: SIM card(3GPP TS 51.017, Subscriber Identity Module (SIM) test specification, NEQ)2013-10-17发布2014-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布
YD/T 2631.32013目次范围·2规范性引用文件..3缩略语测试环境4.1测试设备4.2IUT缺省条件4.3缺省数据格式4.4测试要求5测试用例5.1概述5.2物理特性5.3SIM卡的电气特性和传输协议.5.4应用和文件结构5.5文件访问条件+255.6命令的描述*265.7基本文件的内容·****605.8应用协议-FDN过程
YD/T2631.32013具体要求见YD/T2630.1-2013《900/1800MHzTDMA数字蜂窝移动通借网SIM-ME接口技术要求第1部分:SIM应用》。5.2.5.3测试目的验证SIM卡符合上述要求。5.2.5.4测试方法初始条件a)将SIM卡放置在温度箱内,并连接到ME模拟器。b)将温度测量设备连接到SIM卡的表面。c)SIM卡应已经通过上述格式和布局测试内容。测试步骤a)SIM卡的温度应被设置为+25C。b)ME模拟器复位SIM卡。c)ME模拟器按照YD/T2630.1-2013《900/1800MHzTDMA数字蜂宽移动通信网SiM-ME接口技术要求第1部分:SDM应用》的要求执行SIM卡的初始化程序。SIM卡成功操作(CR1),d)将USIM卡的温度降低到-25℃。e)重复步骤b)和c),SIM卡成功操作(CR1)D将SIM卡的温度升高到+85℃。g)重复步骤b)和c),SIM卡成功操作(CR1):h)将SIM卡的温度升高到+85C。i)重复步骤b)和c)4小时,—SIM卡成功操作(CR1)。j)SIM卡的温度应被设置减为+25℃。k)步骤h)和j)为重复99次上述操作—SIM卡成功操作(CR1)。1)在6.2.1节重复执行一遍测试。5.2.6触点5.2.6.1定义和适用范围为了保证在GSM环境下的正常使用,被测SIM卡的外形、耐用性和触点应满足要求。5.2.6.2一致性要求CR1:C6触点不应绑定为Vpp唯一应用功能。其体要求见YD/T2630.1-2013(900/1800MHzTDMA数字蜂宽移动通信网SIM-ME接口技术要求第1部分:SIM应用》相关章节要求。5.2.6.3测试目的验证SIM卡符合.上述的要求。8
YD/T 2631.320135.2.6.4测试方法初始条件SIM卡已通过格式和布局测试。测试步骤a)ME模报器将SIM卡C6触点接地。b)Vee连接C1触点。e)触点C2(RST)保持低电平状态d)C3触点有有效时钟信号,触点C1电流消耗不应超过10mA(CR2)e)SIM连接至ME模拟器,f)ME模拟器对SIM进行复位操作。SIM复位成功(CR4)。5.3SIM卡的电气特性和传输协议5.3.1V供电电压(触点C1)5.3.1.1电压限值5.3.1,1.1定义和适用范围除了ISO/IEC7816-3中定义的电气信号和传输协议外,为了保证在GSM环境下的正常使用,SIM卡应能够在以下的供电电压条件下正常运行。此测试例适用于1.8V、3V、5V等类型接口所有SIM应用。5.3.1.1.2致性要求CR1当触点C1(Vee)上的电压在表2所列的电压范围内时,SIM卡应能够正常运行。表2在正常操作条件下V的电气持性卡类型5V4.55.53V2.73.3 1.8V1.621.98具体要求见YD/T2630.1-2013《900/1800MHzTDMA数字蜂宽移动通信网SIM-ME接口技术要求第1部分:SIM应用》。5.3.1.1.3测试目的验证SIM卡符合以上的要求。5.3.1.1.4测试方法初始条件SIM卡应被连接到ME模拟器。CHV1值为4个0.刹试步骤a)触点C1(Vce)的电压应被设置为Vcc的最低电压,SIM卡应在Vc的最低电压上开启USIM卡接口信号。注:Ve的最低电压和最高电压取决于SIM卡所支持的电压类别.
YD/T 2631.32013b)ME模拟器复位SIM卡。SIM卡应发送正确的ATR序列。c)ME模拟器向SIM卡发送CHANGECHV命令,命令参数中携带新CHV1值为.0000000
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