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APM3005N N 沟道增强型 MOSFET 特性 引脚说明
30V / 80A，R = 4m （典型值）@V = 10V DS(ON) GS R = 7m （典型值）@V = 4.5V DS(ON) GS
超高密度先进电池设计，实现极低 R DS （在）
可靠且坚固
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GDS TO-220、TO-252 和 TO-263 封装 TO-220、TO-252 和 TO-263 顶视图
D 应用台式计算机或 DC/DC 转换器中的电源管理。 G N 沟道 MOSFET 订购和标记信息 绝对最
大额定值（TA = 25
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