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本发明公开了一种半导体结构及其形成方法,该半导体结构的形成方法,包括提供基板。于基板上形成外延层。进行第一刻蚀工艺,于外延层中形成第一沟槽。进行第一掺杂工艺,以于相邻第一沟槽的侧壁和底面的部分外延层中形成沟道掺杂区。进行第二刻蚀工艺,从第一沟槽的底面移除部分沟道掺杂区和部分外延层,以于外延层中形成贯穿沟道掺杂区的第二沟槽。于第二沟槽中形成栅极结构。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117096189 A
(43)申请公布日 2023.11.21
(21)申请号 202210840390.8
(22)申请日 2022.07.18
(30)优先权数据
111117588 2022.
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