半导体设备工艺简介全文-职业教育-在线文档.pptx

中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sc击此处编辑母版中科院半导体所照明研发中心工艺设备简介2014-3-3 中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sc半导体照明研发中心简介击此处编辑母版“中国科学院半导体照明研发中心”，拥有1500平方米的超净工艺环境；装备方面总体已完成投入4000余万元，具备从材料制备、芯片工艺、封装测试完整的研发工艺线。 “中心”组建了强有力的研发团队,由18位留学回国人员、30余名正高和副高职称研究员和近30余名工程技术人员组成；并与美、日、德等国建立了国际合作关系，聘请了8位客座研究员。在半导体照明重大装备、材料生长、器件工艺、重大应用等方面与国内外相关研发产业机构建立了良好的关系。 中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sc击此处编辑母版设备名录 中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sc击此处编辑母版设备简介：厂商：美国ABM公司，型号：ABM/6/350/NUV/DCCD/M型1.光刻机工作原理：将设计的掩模图形通过光刻机曝光转移到涂有光刻胶的晶片上用途：光刻胶的图形化。 中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sc技术指标：1.365击nm(此波长处) 输编出光辑强--母-约1版8-20 mW/cm2;2.400 nm(波长) 输出光强---约35-40 mW/cm2;曝光有效范围:4英寸直径;曝光精度：硬接触模式<1微米,软接触<1.5微米;接近式（20um）<2微米,接近式（50um）<3微米工艺特点：卓越的曝光面内均一性:误差小于±1% 于 2 英寸曝光范围内;误差小于±2% 于 4 英寸曝光范围内;具备高性能消除衍射涂层光学系统;双通道光强度控制系统;实时动态显示（通过CCD直接在显示器上显示）1.光刻机 中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sc方孔边长4.62um圆孔直径1.05um1.光刻机示击例：此处编辑母版 中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sc击此处编辑2.微波式打胶机母版设备简介：厂商：德国PVA-TePla-AG型号： 310 M工作原理：通过微波产生的氧气等离子体对样品表面进行清洁作用或者去除光刻胶掩膜。用途：光刻胶或其他有机物的去除。 中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sc微波式打胶机技术指标：等离击子体此室：处石英编，直辑径24母5mm，版深380mm;等离子体发生器：微波频率2.45GHz，最大1.000瓦，可变功率工艺特点：微波等离子体廉价、易于使用、高度活性、高效，且不会对电子装置产生损害，该系统配备洁净的石英晶体处理室;可以进行普通光刻胶灰化、SU8灰化;适合于光刻胶显影底膜的去除。 中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sc3.化学清洗工作台击此处编辑母版设备简介：厂商：坤杰精密自动化设备有限公司型号： 310 M用途：通过化学清洗手段对样品进行表面处理，通常可进行清洗、腐蚀、剥离等工艺。 中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sc化学清洗工作台技术指标：共1击8个工此作槽处位，编配备辑氮气母及纯版水清洗系统;可进行常规有机、无机清洁处理；ITO薄膜湿法蚀刻；去蜡清洗；lift-off 工艺；湿法腐蚀氧化硅等工艺。工艺特点：小批量多片处理、水浴加热清洗、超声清洗；DI水冲洗为喷淋，溢注两种模式自由组合;半自动机械手臂进行上下往复晃动，反应更均匀 中国科学院半导体研究所Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sc击此处编辑母版4、感应耦合等离子刻蚀机ICP设备简介：厂商：AST型号 CIRIE-200工作原理：在高功率射频电磁场中，刻蚀气体电离，电子在电场的加速下，与中性分子或原子撞击，产生电子、离子、活性游离基及辉光，即等离子体。利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。用途：干法刻蚀