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本发明涉及一种提高半导体掺杂浓度测试精度的方法,包括以下步骤:1)在量产FP激光器结构基础上生长需要测试的掺杂层,即在FP激光器的Cap层上生长保护层,然后继续生长待测试的掺杂层;2)在生长的掺杂层上进行ECV测试和霍尔测试;3)通过霍尔测试的测试结果校准ECV测试的测试结果,获得掺杂层更精确的掺杂浓度;4)清洗掉测试完成的掺杂层;5)如果还有其他需要测试的掺杂层,继续在保护层上生长该掺杂层,然后重复步骤2‑4,否则清洗掉保护层,测试结束。该方法有利于提高半导体掺杂浓度测试的准确性和可靠性,且不
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112730549 A
(43)申请公布日 2021.04.30
(21)申请号 202110044009.2
(22)申请日 2021.01.13
(71)申请人 福建中科光芯光电科技有限公司
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