2020年锗硅基半导体材料行业研究报告.pdf

锗硅基半导体材料行业研究报告 2020年 Copyright© 内部资料，仅供会员学习使用 目录 1 锗硅基半导体材料概况锗硅基半导体材料概况锗硅基半导体材料概况 2 锗硅基半导体材料产业分析锗硅基半导体材料产业分析锗硅基半导体材料产业分析 目录 3 锗硅基半导体材料市场分析锗硅基半导体材料市场分析锗硅基半导体材料市场分析 4 锗硅基半导体材料企业分析锗硅基半导体材料企业分析锗硅基半导体材料企业分析 5 锗硅基半导体材料锗硅基半导体材料锗硅基半导体材料行业发展趋势行业发展趋势行业发展趋势 Copyright© 内部资料，仅供会员学习使用 锗硅基半导体材料概况——简介及分类 硅锗（Silicon-germanium，缩写为SiGe），是一种合金，依硅和锗的摩尔比可以表示 成SixGe1-x。硅锗常被用作集成电路中的半导体材料，可做成异质结双极性晶体管或 CMOS晶体管中的应变感应层（strain-inducing layer）。  IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术，这一新技术使混合信号集成 电路和模拟集成电路的设计与生产多了一项选择。 SiGe材料可让异质结双极性晶体管整合进CMOS逻辑集成电路，达成混合信 号电路的功能。异质结双极性晶体管比起同质接面双极性电极体，拥有高正 向增益、低反向增益、低电流和较好的高频特性等优点。但在异质面技术中， 与仅使用硅的技术相比，SiGe这种化合物半导体更容易进行能带调节。 锗硅基 半导体材料 绝缘体上硅锗（Silicon-germanium-on-insulator，缩写为SGOI）是一项 类似绝缘体上硅（Silicon-on-insulator，缩写为SOI）的技术，现今被运用 在电脑的芯片。SGOI技术可以增加原子间的距离，加快电流流动的速度， 以提高微芯片中晶体管的速度。 Copyright© 资料来源：网络公开资料，赛瑞研究整理 内部资料，仅供会员学习使用 锗硅基半导体材料概况——制备 锗Ge和硅Si晶体结构比较 Intel锗硅光接受芯片结构简图 N-Ge 锗Ge i-Ge p-Si Oxide 硅Si Silicon 目前常见的工艺 1）Ge 组分变化缓冲工艺：调节 SiGe 合金中 Ge 的比例，从硅基底的 0%逐步过渡到 100%； 2）低温 Ge 缓冲层：先外延一层薄的 Ge，之后高温生长通过退火降低晶格错位； 3）