2020年功率半导体电子器件IGBT行业研究报告.pdfVIP

下载本文档

13
1
约2.08万字
约 26页
2021-12-03 发布于重庆
举报
版权申诉

2020年功率半导体电子器件IGBT行业研究报告.pdf

1、本文档共26页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

功率半导体电子器件（IGBT ）行业研究报告 2020年 Copyright© 内部资料，仅供会员学习使用目录 1 IGBT概况 2 IGBT产业分析目录 3 IGBT市场分析 4 IGBT企业分析 5 IGBT行业发展趋势 Copyright© 内部资料，仅供会员学习使用 IGBT概况——简介  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) ，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT (双极型三极管) 和 MOS （绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件；  IGBT简单讲，是一个非通即断的开关，没有放大电压的作用，导通时可看做导线，断开时当做开路。  IGBT特点：  双极型器件，少数载流子参与导电，空穴电流占总电流的20-25% ；  在大电流下可获得很低的通态压降和很高的功率处理能力；  同等耐压和功率处理能力下，IGBT所需的芯片面积明显小于 MOSFET ，因而具有成本优势；  具有MOS栅控制结构，驱动与MOSFET类似；  关断时由于少数载流子存储效应，存在电流拖尾，关断损耗较高，也限制了使用频率；  由于没有自身的体二极管，应用中需配合反并二极管以续流，同时限制反向电压。图片来源：斯达半导体官网 Copyright© 内部资料，仅供会员学习使用 IGBT概况——简介  IGBT属于全控型、电压驱动半导体器件：不能用控制信号控制其通不可控型断，如普通功可控制导通，率二极管VD 不能控制关断，是否可控半控型如普通晶闸管可控制其导通 SCR 和关断，如GtR、电力半导体器