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磷化铟行业研究报告
2020年
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目录
1 磷化铟概况
2 磷化铟产业分析
目录 3 磷化铟市场分析
4 磷化铟企业分析
5 行业发展趋势
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磷化铟概况——定义及性能
磷化铟 （InP ）属III-V族化合物半导体 ，具有闪锌矿结构 ，晶格常数5.869Å。它在常温下
的禁带宽度为1.35eV ，是直接跃迁型能带结构 ，发射波长0.92μm ，熔点温度1335K。
InP与传统Si半导体材料相比 ，其禁带宽度更大、电子迁移率和饱和速率更高 ，击穿电压
更高 ，此外还具有工作温度高、抗辐射性能好等优点 ，适用于制作高频、高功率器件。
InP和Si材料基本物理性能参数对比 InP主要性能优点
物理性能 单位 Si InP
禁带宽度 （eV ） 1.12 1.35
禁带宽
能带跃迁类型 / 间接 直接 度大
本征载流子浓度 ni(cm-3) 1×107 1×1014 截止频 电子迁
率高 GaAs 移率高
2
电子迁移率 (cm /Vs) 1350 4600 性能
7 耐高温 抗辐射
饱和速率 (10 cm/s) 1 2.2
性能好 性好
击穿电压 (MV/cm) 0.3 0.5 击穿电
压高
截止频率 （GHz ） 20 300
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资料来源：广发证券，赛瑞研究整理 内部资料，仅供会员学习使用
磷化铟概况——商用发展历程
1910年 埃尔(Thiel)等首次报道了人工合成磷化铟(InP)材料。
科学工作者应用水平布里奇曼法、温度梯度法和磁耦合提拉法生长出了磷
1950年代末期 化铟单晶。
Mullin等人第一次用LEC法生长出了磷化铟单晶材料，为以后生长大直径、
1965-1968年 高质量Ⅲ-Ⅴ族单晶打下基础，磷化铟材料的研究也才真正开始。
InP单晶为衬底
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