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GaAs基底TiO/SiO减反射膜的反射率性能分析
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肖祥江,涂洁磊
（教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室，云南省农村能源工程重点实验室，
云南师范大学太阳能研究所，昆明，云南，650092中国）
摘要：本文设计并制备了适用于砷化镓（GaAs）多结太阳电池的TiO/SiO双层减反膜，通过实测反谱来验证了理
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论设计的正确性。工作中，利用编程分析了TiO、SiO单层膜的厚度及其折率对双层膜系反率的影响。结果显示，在
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短波范围(300nm～600nm)，TiO膜厚对反率的影响要大于SiO，而SiO折率对反率的影响比TiO大；在中波范围
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(600nm～900nm)，随着单层膜的厚度和折率的增加，双层膜系反率存在一个最小值，变化趋势是先降低，而随后增加。
同时，计算结果得到SiO和TiO的最优物理膜厚分别为78.61nm和50.87nm，此时在短波段中心波长λ=450nm处最小反
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率为0.0034％，在中波段中心波长λ=750nm处最小反率为0.495％。采用电子束蒸发法在GaAs基底上淀积TiO/SiO
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双层膜，厚度分别为78nm和50nm。实测短波和中波相应的反率极小值分别为0.37％和2.95％，与理论结果吻合较好。
键词：薄膜光学；GaAs多结太阳电池；TiO/SiO双层减反射膜；电子束蒸发；折率
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AnalysisofreflectanceperformanceofTiO/SiOantireflectioncoatingonGaAs
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Substrate
XiaoXiang-jiang,TuJie-lei
(EducationMinistryKeyaboratoryofRenewableEnergyAdvancedMaterialsandManufacturingTechnology,
YunnanprovincialkeyaboratoryofRenewableEnergyEngineering,SolarEnergyResearchInstitute,Yunnan
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