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本发明公开了氮化镓温度传感器及其制备方法和应用。其中,该氮化镓温度传感器包括氮化镓层、隧穿层、阴极和阳极,所述隧穿层设在所述氮化镓层的至少一部分表面上,所述隧穿层上设有电极孔;所述阴极设在所述电极孔中并与所述氮化镓层接触;所述阳极设在所述隧穿层的部分表面上,所述阳极不与所述阴极接触。该温度传感器采用金属‑隧穿层‑氮化镓新型结构,利用载流子在受热激发后隧穿通过隧穿层的概率增大的原理,即热致隧穿效应,通过检测隧穿电流的大小实现对温度的检测和传感,具有耐高温、高线性度和高灵敏度的优势,可以更好的满足大
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113847996 A
(43)申请公布日 2021.12.28
(21)申请号 202111114273.5
(22)申请日 2021.09.23
(71)申请人 清华大学
地址 10
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