C35GTO缓冲吸收电容器.doc

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2019-09-08 发布于湖北
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C35 GTO缓冲吸收电容器型号规格价格(元）尺寸（mm) 引出 C35 0.47vF/5000V 50 Φ53*L50 M6 价格仅供参考，以报价单为准。主要应用/Application 广泛应用于GTO缓冲吸收以及大电流，高压场合。 Widely used in GTO snubber，high current and high voltage application. 产品特点/Characteristics 电介质：聚丙烯薄膜结构：金属化膜内串结构封装：外包阻燃迈拉胶带，阻燃（94V-0级）环氧封装引出： M6或M8铜螺母引出能承受大电流，高电压低损耗、高稳定具有自愈性 Dielectric：Polypropylene film Construction：Metalized film internal series connection Coating：Polyester tape wrapping with resin sealing. Flame retardant execution（UL94V-0） Terminals：Copper nut leads，threaded insert M5,M6 or M8 High current，high voltage Low losses，high stability Self healing 技术性能/Specifications 引用标准/Reference standards GB/T 17702 IEC 61071 工作温度范围/Operating temperature range -40℃～85℃ 容量范围/Capacitance 0.33μF～3.0μF 额定电压/Rated Voltage 4000Vdc～10 000Vdc 容量偏差/Tolerance ±5% ±10% 极间耐电压/Test voltage between terminals 1.5Ur（Vdc）10s 25℃±5℃ 极壳耐电压/Test voltage between terminals and case 3000V 50Hz 60s，25℃±5℃ 损耗角正切/Dissipation factor tgδ≤8×10-4 at 25℃±5℃，1kHz 绝缘电阻/Insulation resistance C×R≥30000s，at 100Vdc，25℃±5℃，60s 预期寿命/Life expectancy 200000h at Ur and 70℃ 此产品关键字： IGBT吸收电容、IGBTSNUBBER、IGBT吸收电容厂家、IGBT吸收电容价格华裕电容-高品质金属化薄膜电容专业制造商全国免费咨询热线：400-850-5811 销售热线（直线）：020 020传真：02087022531 02087023473 手机