ESD保护栅结构Trench+MOSFET设计制造.pdf

ESB保护栅结构的TrenchMOSFET设计制造 摘要 摘 要 功率MOSFET是将微电子技术和电力电子技术融合起来的新一代功率半导体 器件。因其具有输入阻抗高、开关速度快、输出电流大和热稳定性好、安全工作 区宽等优点，在电源保护、电源开关、De／DC变换器和同步整流等电子设备中得 到广泛应用。 本文给出了·种带有ESD保护栅结构的TrenchMOSFET的设计流程。和普通 通MOSFET显著提高。本文的目的是在达到设计目标的同时尽量减少光刻版的层 数，降低单位面积的导通电阻，从而有效控制成本。 展、应用以及市场前景等。第二部分是理论基础，介绍了Trench 的理论知识，提出了在栅极区制造ESD保护结构方法，此方法可以有效控制芯片 面积。第三部分是工程实践，首先通过经典理论公式推导出外延片规格；终端结 构使用场板、多晶硅场限环和截止环的复合结构；ESD保护二极管先P型掺杂再 N型注入的顺序使N注入可以和N+源区同时形成，减少了光刻版的数量；接下来 装数据对模拟条件进行校准和调整，最终的结果完全满足了预期的设计目标。 关键词：TrenchMOSFET，ESD保护，模拟，HBM 作 者：殷允超 指导教师：黄秋萍 andmanufactureof ESD Design gate protected ThnchMoSFET Abstract PowerMOSFETsareall classofdiscretedevicesfora of important varietypower conversion becauseof applications highinputimpedance，highswitchingfrequency， thermal and safe area．Itis largeoutputcurrent,goodstabilitylarge operating being intheelectronics suchas butteryprotection， widelyapplied equipments rectifiersandetc． converter，synchronous switching-modepowersupply,DC-DC Inthis ESD TrenchMOSFETis innovationis gate protected designed．The paper,a thatthiskindofTrenchMOSFETbetter on ESDthannormal get abilityenduring the MOSFET．Theofthisarticleistoreducethecost mask by purpose de