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本实用新型公开一种垂直腔面发射激光器芯片,包括基底、外延柱体、环形沟槽、填充层、钝化层、氧化孔与电极,外延柱体设置于基底之上,外延柱体上方设置环形沟槽形成由环形沟槽围绕的“孤岛”波导区;环形沟槽内部填充有填充层;所述电极包括P面电极、N面电极与相连电极;所述P面电极设置于“孤岛”波导区上方,并与环形沟槽及其内部填充的填充层呈同心圆环;所述N面电极设置于基底上方并毗邻于外延柱体;所述相连电极与外延柱体通过钝化层隔离,并在钝化层开窗处与P面电极形成电连接;P面电极与环形沟槽、氧化孔的圆心重合。本实用
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220138930U
(45)授权公告日2023.12.05
(21)申请号202321532655.4
(22)申请日2023.06.15
(73)专利权人闽都创新实验室
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