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本发明涉及一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件。所述制备方法包括:提供氮化铝基底,所述氮化铝基底包括层叠设置的衬底及具有第一温度的氮化铝层;在所述氮化铝层背离所述衬底的表面设置保护层,所述保护层包括凹陷区及环绕所述凹陷区外周设置的平片区,所述平片区面向所述氮化铝层的表面的均方根粗糙度RMS的范围为:0nm<RMS≤50nm;以及将氮化铝基底及保护层进行热退火处理,以得到具有第二温度的所述氮化铝薄膜;其中,所述第二温度大于第一温度。所述氮化铝薄膜的制备方法可以制备高晶体质量、低缺陷密度和
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116695239 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310405617.0
(22)申请日 2023.04.14
(71)申请人 珠海庞纳微半导体
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