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虚设器件 在图5.8中，边上的期间A1和B1的外边不再有器件，这也会造成不一致，因为在进行刻蚀时，边上的器件会被刻蚀的重一些，从而使它们比中间的器件要窄。如图5.9。 当前第62页\共有104页\编于星期一\11点 虚设器件 当前第63页\共有104页\编于星期一\11点 虚设器件 解决方法：在边上加虚设器件。如图5.10和5.11。 匹配规则之八：用虚设器件围起来。 当前第64页\共有104页\编于星期一\11点 虚设器件 当前第65页\共有104页\编于星期一\11点 虚设器件 当前第66页\共有104页\编于星期一\11点 共心 将器件围绕一个公共的中心点放置，称为共心布置。甚至把器件在一条直线上对称放置也可以看做是共心技术。 共心技术对减少在集成电路中存在的热或工艺的线性梯度影响非常有效。 图5.12和图5.13：共心布置的一些例子 当前第67页\共有104页\编于星期一\11点 共心 一、四方交叉 把一个器件分为两半，然后把他们成对角线放置。这种特殊的工薪技术称为四方交叉。 如电路图5.14中的两个晶体管需要高度匹配，可以讲它们采用四方交叉技术，设计成如图5.15所示的模式。 当前第68页\共有104页\编于星期一\11点 共心 当前第69页\共有104页\编于星期一\11点 共心 当前第70页\共有104页\编于星期一\11点 共心 匹配规则之九：将成对器件四方交叉 当需要匹配时，需要记住，要让每一样东西看起来都完全一样，可能会有一些不必要的重叠，如图5.16 当前第71页\共有104页\编于星期一\11点 共心 当前第72页\共有104页\编于星期一\11点 共心 经济性四方交叉，或称为A-B-B-A线性形式。如图5.17，其中也有一些不必要的重叠，是为了使布线上的寄生参数相匹配。 当前第73页\共有104页\编于星期一\11点 寄生电阻 当前第30页\共有104页\编于星期一\11点 寄生电阻 当前第31页\共有104页\编于星期一\11点 寄生电阻 当前第32页\共有104页\编于星期一\11点 寄生电阻 并联布线：将上下层金属线重叠起来，形成叠层结构，实际上是几层金属线的并联，相当于加宽了导线。 当前第33页\共有104页\编于星期一\11点 寄生电阻 当前第34页\共有104页\编于星期一\11点 寄生电感 在高频电路中，寄生电感不可忽略。 利用寄生参数 不能依赖寄生参数作为电路的一个成分，因为无法很好的控制它们，通常的误差可以是正负50%。 但是在不关心电路参数的大小，例如只想要一个大电容，可以利用寄生参数来满足。 当前第35页\共有104页\编于星期一\11点 器件的寄生参数 一、CMOS晶体管 由阱至衬底的电容 由栅极至阱的电容 这些寄生参数会使得电路的工作速度变慢。 当前第36页\共有104页\编于星期一\11点 器件的寄生参数 当前第37页\共有104页\编于星期一\11点 器件的寄生参数 一种技术：减少多晶硅的串联电阻。可以通过将多晶硅分成多个“指形”的结构，然后用导线将它们并联起来以降低电阻。 通过分成多个器件以及源漏共享可以大大减小CMOS晶体管上的寄生参数。 当前第38页\共有104页\编于星期一\11点 器件的寄生参数 二、双极型晶体管 没有太好的办法减小参数，因为寄生电容与器件的尺寸关系固定，只能依靠模拟对它们的作用进行掌握。 两个该晶体管不能靠的太近，会引起一个大的电阻。 当前第39页\共有104页\编于星期一\11点 器件的寄生参数 当前第40页\共有104页\编于星期一\11点 器件的寄生参数 三、全定制方案 采用某些全定制技术可以将器件做的很小。通常的做法式把几个较小的器件组合成一个较大的器件，一般都在一个公共的N阱中，可以使得N阱的总面积较小，从而缩小了至衬底的电容。 当前第41页\共有104页\编于星期一\11点 6.3匹配 什么叫做匹配？——平衡 我们希望无论是cd播放器还是其它音响,它们相搭档的器件反应完全一样。也就是说，其中一个放大器的频率和幅值能完全符合并跟踪另一个运放的频率和幅值响应，达到这一目标的方法之一就是匹配。 实现匹配过程中，版图设计是一个非常重要的环节。一个优秀的版图可以大大提升一个设计。 当前第42页\共有104页\编于星期一\11点 版图的重要性 匹配与版图的关系相当密切，对电路的成败至关重要。 匹配规则之一：把需要匹配的器件相互靠近放置。避免由于周围器件环境的不同而导致匹配器件的工作差异。 当前第43页\共有104页\编于星期一\11点 版图的重要性 不重复性：两个完全相同的CAD版图在被生产出来后，它们的作用和工作可能会差别很大。 虽然版图上的每一样东西看上去都一样，但是由于某些原因，就是无法在两个器件中重复同样的性质。 良好的习惯可以免除