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20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
DESCRIPTION SCHEMATIC DIAGRAM
The JXP60N02G uses advanced power
trench technology to provide excellent RDS(ON),
low gate charge and high density cell Design for
ultra low on-resistance. This device is suitable
for use as in PWMapplications.
GENERAL FEATURES
I 60A,V 20V
D DS
RDS(ON)(Typ.) 5.5mΩ@VGS 4.5V
RDS(ON)(Typ.) 7.5mΩ@VGS 2.5V
PIN ASSIGNMENT
Low Gate Charge
Advanced High Cell Density Trench TO-252-2L
Technology (TopView)
100% EAS Guaranteed
APPLICATION
Power Management Switches
DC/DC Converters
PACKAGE
TO-252-2L Note：XXYY—Date Code
ORDERING INFORMATION
Part Number Storage Temperature Package Marking Devices Per Reel
JXP60N02G -55°Cto +150°C TO-252-2L 60N02/XXYY 2500
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T 25℃ unless otherwise noted)
A
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-source voltage VDS 20 V
Gate-sourcevoltage VGS ±10 V
T 25°C 60
C
Continuous drain current (T 150 °C)a I
J D
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