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DESCRIPTION SCHEMATIC DIAGRAM
The JXP8402KRG uses advanced trench D S
technology to provide excellent RDS(ON), low gate
charge and high density cell Design for ultra low
on-resistance. This device is suitable for use as
G G
a load switch or in PWM applications.
GENERAL FEATURES
N-Channel S D
VDS =65V ,ID =0.13A
PIN ASSIGNMENT
RDS(ON)(Typ.)=1.7Ω @VGS=10V
RDS(ON)(Typ.)=2.1Ω @VGS=4.5V SOT-363
P-Channel (Top view)
VDS =-55V ,ID =-0.13A
6 5 4
RDS(ON)(Typ.)=1Ω @VGS=-10V
RDS(ON)(Typ.)=1.2Ω @VGS=-4.5V
High power and current handing capability
Lead free product is acquired
Surface mount package
N MOSFET ESD Rating: >2000V HBM
APPLICATION
PWM applications
Load switch
PACKAGE 1 2 3
SOT-363
ORDERING INFORMATION
Part Number Storage Temperature Package Marking Devices Per Reel
JXP8402KRG -55°C to +150°C SOT-363 402 3000
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T =25℃ unless otherwise noted)
A
Limit
Parameter Symbol Unit
N P
Drain-source voltage VDS 65 -55 V
Gate-source voltage VGS
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