《高电压技术》1-4章知识点总结ltt.docxVIP

— PAGE \* Arabic 1 — 《高电压技术》1-4章知识点总结ltt 第一章 电介质的极化电导及损耗  1．电介质四种极化的基本含义及比较？  答：①电子式极化：在外电场的作用下，介质原子中的电子运动轨道将相对于原子核发生弹性位移。  ②离子位移极化：离子式结构化合物，出现外电场后，正负离子将发生方向相反的偏移，使平均偶极距不再为零。  ③偶极子极化：极性化合物的每个极性分子都是一个偶极子，在电场作用下，原先排列杂乱的偶极子将沿电场方向转动。  ④空间电荷极化：在电场作用下，带电质点在电介质中移动时，可能被晶格缺陷捕获或在两层介质的界面上堆积，造成电荷在介质空间中新的分布，从而产生电矩。    2．电介质电导与金属电导有什么本质区别？  答：金属导电的原因是自由电子移动；电介质通常不导电，是在特定情况下电离、化学分解或热离解出来的带电质点移动导致。  3．.电介质中的能量损耗的基本概念，等效电路，向量图  答：①电介质中在交变电场作用下，电能转变为其它形式的能，如热能、光能等，统称为介质损耗。它是导致电介质发生热击穿的根源。电介质在单位时间内消耗的能量称为电介质损耗功率，简称电介质损耗。 ②等效电路：  lk  R 为泄漏电阻；lk I 为泄漏电流；   g C 为介质真空和无损极化所形成的电容；g  I 为流  过  g  C 的电流；  p  C 为无损极化所引起的电容；  p  R 为无损极化所形成的等效电阻；  p  I 为流  过  p  p C R －支路的电流，可以分为有功分量  pr  I 和无功分量pc  I 。    ③向量图：  g  J  。  为真空和无损极化所引起的电流密度，为纯   容性的；lk  。J  为漏导引起的电流密度，为纯阻性  的；p 。  J 为有损极化所引起的电流密度，它由无  功部分  pc  。  J  和有功部分  pr  。  J  组成。容性电流c 。  J 与  总电容电流密度向量。  J 之间的夹角为δ，称为介质损耗角。介质损耗角简称介损角δ，为电介质电流的相角领先电压相角的余角，功率因素角?的余角，其正切δtg 称为介质损耗因素，常用％表示，为总的有功电流密度与总无功电流密度之比。  第二章 气体放电的物理过程  1. 汤森德理论与流注理论认的比较  1） 汤森德理论：认为电子崩向阳极不断发展，崩中的正离子撞击阴极也产生自由电子。  自由电子的撞击电离和正离子撞击阴极表面的电离的放电产生和发展的原因。 2） 流注理论：认为电子崩发展使崩头和崩尾场强增加而崩内场强减少，有利于崩内发  生复合产生大量的光子，而光子又产生光电离，光子产生的电子也产生二次电子崩迅速汇入到主崩，以等离子体的形式向阴极发展就形成了流注。 3） 相同点：两者产生和发展都需要碰撞电离和电子崩。  4） 相异点：汤逊理论主要考虑了电子的碰撞电离和正离子撞击阴极表面的电离；流柱  理论主要考虑了电子的碰撞电离、空间电荷对电场畸变的影响和空间光电离。  5） 应用条件：汤逊理论适合低气压、小距离的情况，cm 26.0s δ或不均匀的电场适用。  2. 巴申曲线 1）物理意义：在均匀的电场中，击穿电压  b  U  是气体的相对密度δ、极间距  离S 乘积的函数，只要S ?δ的乘积不变，  b  U  也就不变。  2）原因：假设S 保持不变，当气体密度δ增大时，电子的平均自由行程缩短了，相邻两次碰撞之间，电子积聚到足够动能的几率减小了，故  b  U  必然增大。反之当δ减小时，电子在碰撞前积聚到足够动能  的几率虽然增大了，但气体很稀薄，电子在走完全程中与气体分子相撞的总次数却减到很小，欲使击穿  b  U  也须增大。故在这两者之间，总有一个δ值对造成撞击游离最有利，此时  b  U  最  小。同样，可假设δ保持不变，S 值增大时，欲得一定的场强，电压必须增大。当S 值减到过小时，场强虽大增，但