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本发明提出了一种半导体激光芯片,所述半导体激光芯片具有密度梯度、共价键能梯度、纵向声速梯度和晶格常数梯度。本发明设计控制激光器的纵向声速和共价键能梯度,减少泵浦光到激光能级上能量差的斯托克斯频移损耗引起的废热,提升下限制层的热导率和导热效率,改善温度分布均匀性和热应力分布均匀性,抑制热透镜效应和应力双折射效应,改善激光光束去极化和失真问题,提升光束质量因子,同时,设计控制激光器的密度梯度和晶格常数梯度,降低深能级缺陷,抑制缺陷俘获效应和边缘效应,调控激光器远离平衡态的对称性破缺,消除结电压上跳、
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117410833A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202311484377.4
(22)申请日2023.11.09
(71)申请人安徽格恩半导体有限公司
地址2
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