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本发明公开了一种单层铁磁合金的自旋太赫兹波发射器及其制备方法，目的是解决现有自旋太赫兹波发射器结构复杂，辐射场强较低等问题。单层铁磁合金的自旋太赫兹波发射器仅由单晶衬底和磁控溅射技术外延生长单层铁磁薄膜构成；单晶衬底为蓝宝石Al2O3单晶衬底或钛酸锶SrTiO3单晶衬底，单层铁磁薄膜为铁铂合金单晶薄膜，Fe元素和Pt元素的质量配比均为1：1；制备方法是通过磁控溅射技术外延生长单层铁磁薄膜，磁控溅射外延生长的铁铂合金单晶薄膜自然结晶。本发明发射器结构简单、辐射场强高且无需外加磁场辅助，制备方法无需
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116470372 A
(43)申请公布日 2023.07.21
(21)申请号 202310411544.6 C22C 38/00 (2006.01)
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