IC-芯片封装流程.pptxVIP

Introduction of IC Assembly ProcessIC封装工艺简介 FOL– Back Grinding背面减薄Taping粘胶带BackGrinding磨片De-Taping去胶带将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到  封装需要的厚度（8mils~10mils）；磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域  同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度； FOL– Wafer Saw晶圆切割Wafer Mount晶圆安装Wafer Saw晶圆切割Wafer Wash清洗将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落；通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的  Die Attach等工序；Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer； FOL– Wafer Saw晶圆切割Wafer Saw MachineSaw Blade(切割刀片)：Life Time：900~1500M；Spindlier Speed：30~50K rpm：Feed Speed：30~50/s; FOL– 2nd Optical Inspection二光检查主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查，是否有出现废品。Chipping Die  崩 边 FOL– Die Attach 芯片粘接Write Epoxy点银浆Die Attach芯片粘接Epoxy Cure银浆固化Epoxy Storage：零下50度存放；Epoxy Aging：使用之前回温，除去气泡；Epoxy Writing：点银浆于L/F的Pad上，Pattern可选； FOL– Die Attach 芯片粘接芯片拾取过程：1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于 脱离蓝膜；2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从Wafer  到L/F的运输过程；3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F 的Pad上，具体位置可控；4、Bond Head Resolution： X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um；5、Bond Head Speed：1.3m/s； FOL– Die Attach 芯片粘接Epoxy Write：Coverage >75%;Die Attach：Placement<0.05mm; FOL– Epoxy Cure 银浆固化银浆固化：175°C，1个小时；N2环境，防止氧化：Die Attach质量检查：Die Shear（芯片剪切力） FOL– Wire Bonding 引线焊接利用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点，Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。 FOL– Wire Bonding 引线焊接Key Words：Capillary：陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool，内部为空心，中间穿上金线，并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第一和第二焊点；EFO：打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温，将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形，以便在Pad上形成第一焊点（Bond Ball）；Bond Ball：第一焊点。指金线在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接点，一般为一个球形；Wedge：第二焊点。指金线在Cap的作用下，在Lead Frame上形成的焊接点，一般为月牙形（或者鱼尾形）；W/B四要素：压力（Force）、超声（USG Power）、时间（Time）、温度（Temperature）； FOL– Wire Bonding 引线焊接陶瓷的Capillary内穿金线，并且在EFO的作用下，高温烧球；金线在Cap施加的一定压力和超声的作用下，形成Bond Ball；金线在Cap施加的一定压力作用下，形成Wedge； FOL– Wire Bonding 引线焊接利用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点，Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。 FOL– Wire Bonding 引线焊接EFO打火杆在磁嘴前烧球Cap下降到芯