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STBCHIP 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
DESCRIPTION SCHEMATIC DIAGRAM
The JXP35N03G uses advanced power trench
D
technology to provide excellent RDS(ON), low gate
charge and high density cell Design for ultra low on-
resistance. This device is suitable for use as a load
switch or in PWM applications. G
GENERAL FEATURES
VDS=30V ,ID =35A, S
RDS(ON)(Typ.)=6.5mΩ@VGS=10V
RDS(ON)(Typ.)=9.5mΩ@VGS=4.5V
PIN ASSIGNMENT
Low Gate Charge
Advanced High Cell Density Trench TO-252
Technology (Top View)
100% EAS Guaranteed
APPLICATION
Power Management Switches
DC/DC Converters
PACKAGE
TO-252 Note:XXYY—Date Code
ORDERING INFORMATION
Part Number Storage Temperature Package Marking Devices Per Reel
JXP35N03G -55°C to +150°C TO-252 35N03/XXYY 2500
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T =25℃ unless otherwise noted)
A
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-source voltage VDS 30 V
Gate-source voltage VGS ±20 V
T =25°C 35
A
Continuous drain current (T = 150 °C) a
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