efuse单元结构、efuse单元的双列结构及efuse单元结构的应用电路的制作方法.docx

PAGE PAGE 1 efuse单元结构、efuse单元的双列结构及efuse单元结构的应用电路的制作方法 本创造涉及集成电路设计领域，特殊是涉及一种efuse单元结构、efuse单元的双列结构及efuse单元结构的应用电路。背景技术：efuse属于一次性可编程存储器(otp)，基于电子迁移(em)原理，通过熔断熔丝的方式实现编程功能。efuse内部读模块把熔丝电阻值转换为对应的规律值，其工作原理是通过比较电路将熔断发生前后的熔丝电阻和参考电阻进行对比而产生不同电平。为确保比较结果的牢靠性，常规efuse设计都期望在编程操作时熔丝能发生熔断现象，以得到较大的电阻值。因此，常规efuse单元都包含一个较大w/l尺寸的把握管，以便能通过较大的熔断电流，这挺直导致efuse面积较大和整体功耗较大。常规efuse单元基于电迁移原理，通过对熔断熔丝的方式，实现编程操作。由于编程所需的熔断电流较大，常规efuse需要接受较高的编程电压；而在读取操作时，系统接受较低的电压以削减功耗。因此，常规efuse接受双电源(vdd、vddq)结构，1所示，图1显示为常规efuse结构的电路示意图，系统在编程操作时，编程电流从vddq、经过p1、link和n1管到地，实现对efuse的编程。系统在读操作时，读电流从vdd、sa、经过link和n1管到地，和efuse熔丝(link)阻值相关的电流值在sa(sensoramplifier，敏感放大器)转换为规律输出do。技术实现要素：鉴于以上所述现有技术的缺点，本创造的目的在于供应一种efuse单元结构、efuse单元的双列结构及efuse单元结构的应用电路，用于解决现有技术中efuse面积大并且整体功耗较大的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本创造供应一种efuse单元结构，起码包括：由编程熔丝和参考熔丝组成的熔丝对；第一、其次nmos管；其中所述参考熔丝的一端为所述efuse单元结构的saref端口；所述参考熔丝的另一端连接所述其次nmos管的漏极；所述编程熔丝的一端为所述efuse单元结构的位线端口；所述编程熔丝的另一端连接所述第一nmos管的漏极；所述第一、其次nmos管的栅极相互连接形成所述efuse单元结构的字线端口；所述第一、其次nmos管的源极相互连接形成所述efuse单元结构的接地端口。本创造还供应一种efuse单元的双列结构，起码包括：n个efuse单元结构；所述efuse单元结构包括：由编程熔丝和参考熔丝组成的熔丝对；第一、其次nmos管；其中所述参考熔丝的一端为所述efuse单元结构的saref端口；所述参考熔丝的另一端连接所述其次nmos管的漏极；所述编程熔丝的一端为所述efuse单元结构的位线端口；所述编程熔丝的另一端连接所述第一nmos管的漏极；所述第一、其次nmos管的栅极相互连接形成所述efuse单元结构的字线端口；所述第一、其次nmos管的源极相互连接形成所述efuse单元结构的接地端口；敏感放大器模块sa；所述敏感放大器模块sa包括：第一差分输入端bl、其次差分输入端ref以及规律输出端；所述n个efuse单元结构依次排列为第一至第nefuse单元结构；所述第一至第nefuse单元结构的所述位线端口相互连接，并接至所述敏感放大器模块sa的第一差分输入端bl；所述第一至第nefuse单元结构的所述saref端口相互连接，并接至所述敏感放大器模块sa的其次差分输入端ref。本创造还供应一种efuse单元结构的应用电路，起码包括：efuse单元结构；所述efuse单元结构包括：由编程熔丝和参考熔丝组成的熔丝对；第一、其次nmos管；其中所述参考熔丝的一端为所述efuse单元结构的saref端口；所述参考熔丝的另一端连接所述其次nmos管的漏极；所述编程熔丝的一端为所述efuse单元结构的位线端口；所述编程熔丝的另一端连接所述第一nmos管的漏极；所述第一、其次nmos管的栅极相互连接形成所述efuse单元结构的字线端口；所述第一、其次nmos管的源极相互连接形成所述efuse单元结构的接地端口；敏感放大器模块sa；所述敏感放大器模块sa包括：第一差分输入端bl、其次差分输入端ref、规律输出端以及电源端vdd；pmos编程把握管；所述efuse单元结构的位线端口连接所述敏感放大器模块sa的第一差分输入端bl以及所述pmos编程把握管的漏极；所述efuse单元结构的saref端口连接所述敏感放大器模块sa的其次差分输入端ref。优选地，所述pmos编程把握管的源极连接电压vdd1。优选地，所述pmos编程把握管的栅极连接把握信号prog。如上所述，本创造的efuse单元结构，具有以下有益效果：本创造