EEPROM编程周期控制电路的制作方法.docx

PAGE PAGE 1 EEPROM编程周期把握电路的制作方法 本创造属于eeprom把握系统领域，具体说是一种微电流源供应的计时电路系统。背景技术：目前数字存储技术主要分成三种：磁式、光电式和半导体式。半导体存储技术基本上又分为挥发性(volatile)与非挥发性(non-volatile)两种，挥发性存储器技术较为成熟，也是目前半导体存储技术的主流，包括dram和sram等；非挥发性存储器技术包括过去的掩膜rom、eprom、eeprom、flash(快闪)、以及新兴的fram(铁电存储器)、mram(磁性存储器)与oum(相变存储器)等。非挥发性、存取速度快、成本低、制作过程简洁、数据存储密度高、耗电量低和可无限次数擦写等特性，是将来存储器技术所必需具备的要点。eeprom单元编程和擦除需要ms量级的时间周期，现有的技术是通过时基电路和分频电路(计时电路)组成，时基电路产生时钟信号，分频电路对时钟信号进行分频完成计时，当需要计时周期越长，就需要越大的电容、越大的电阻和越多的分频器。若实现ms级计时，整个功能约需要晶体管500余个，片内电容约6pf，电阻50kω。现有技术尽管能实现对擦除、编程时间的精准把握,但所需资源格外多，编程所需时间越多，所需资源就越多。技术实现要素：本创造供应一种结构简洁的计时电路，在供应ms级计时的前提下，该结构仅需要晶体管少于100个，片内电容12p，不需要片内大电阻。本创造目的是供应一种性能稳定、体积小、成本低eeprom擦除、编程时间把握电路。本创造为实现上述目的所接受的技术方案是：eeprom编程周期把握电路，包括：基准电压源、微电流源以及计时电路，其中：基准电压源，用于为微电流源供应基准电压；微电流源，用于依据基准电压为计时电路供应基准电流；计时电路，用于依据基准电流以及电容实现计时。所述基准电流为pa级。所述电容为pf级。所述计时电路完成ms级计时。所述微电流源的电路为：基准电压vref分别输入nmos管mn01的栅极、nmos管mn02的栅极、nmos管mn03的栅极、nmos管mn04的栅极、nmos管mn05的栅极以及nmos管mn06的栅极，nmos管mn01的源极连接nmos管mn02的漏极，nmos管mn02的源极连接nmos管mn03的漏极，nmos管mn03的源极连接nmos管mn04的漏极，nmos管mn04的源极连接nmos管mn05的漏极，nmos管mn05的源极连接nmos管mn06的漏极，nmos管mn06的源极接地，nmos管mn01的漏极连接pmos管mp03的漏极，pmos管mp03的栅极连接把握信号con，pmos管mp03的源极分别连接pmos管mp01的源极和栅极以及pmos管mp02的栅极，pmos管mp01的源极分别连接pmos管mp02的源极以及电源vdd，pmos管mp02的漏极连接nmos管mn08的漏极，nmos管mn08的栅极连接电压vdd，nmos管mn08的源极分别连接nmos管mn07的漏极和栅极，nmos管mn07的栅极输出基准电流iref，nmos管mn07的源极接地。所述计时电路为：基准电流iref输入nmos管mn13的栅极，nmos管mn13的源极接地，nmos管mn13的漏极连接nmos管mn12的源极，nmos管mn12的漏极通过电容cap1分别连接nmos管mn11的源极以及nmos管mn15的漏极和栅极，nmos管mn11的栅极连接反馈信号con2，nmos管mn11的漏极连接电源vpp，nmos管mn15的源极分别连接nmos管mn16的漏极和栅极，nmos管mn16的源极分别连接nmos管mn17的漏极和栅极，nmos管mn17的源极连接nmos管mn18的漏极，nmos管mn18的栅极连接反馈信号con2，nmos管mn18的源极接地，nmos管mn14的漏极连接nmos管mn12的漏极，nmos管mn14的栅极连接电源vdd，nmos管mn14的源极连接倒相器inv1的输入，倒相器inv1的输出作为计时电路的输出。本创造具有以下有益效果及优点：1.本创造用格外简洁的电路结构实现eeprom擦除、编程时间把握。2.本创造产生的时间随温度变幻很小。3.本创造涉及的资源少。附图解释图1本创造的系统框架图；其中，1为基准电压源，2为微电流源，3为计时电路；图2本创造的微电流源电路图；图3本创造的计时电路电路图。具体实施方式下面结合附图及实施例对本创造做进一步的具体解释。1所示，本创造是一种微电流源(2)供应的计时电路用于把握eeprom编程时间，包括，基准电压源(1)、微电流源(2)、计时电路(3)；基准电压源(1)