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实验报告 反应离子刻蚀工艺及其半导体激光器工艺应用 ,无42
实验一 反应离子刻蚀工艺及其半导体激光器工艺应用 实验报告
无42 2014-01-1070
一、实验目的
1. 了解反应离子刻蚀过程的物理原理;
2. 了解真空获取的方式及相关设备的基本结构;
3. 了解半导体异质结激光器的物理原理和基本结构;
4. 熟悉半导体异质结激光器的制作工艺过程。
二、实验原理
1.
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