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不同电极形式对掺镧钛酸铅铁电薄膜的介电性能的影响
1554 功 能 材 料 2006 年第 10 期(37) 卷
*
1 1 2 1 1
刘 洪 ,蒲朝辉 , 朱小红,肖定全, 朱建国
( 1. 四川大学材料科学与工程学院, 四川成都610064; 2. 中国科学院物理研究所, 北京 100080)
: 采用射频磁控溅射技术在 Si( 100) 基底和 采用平行电极。
Pt/Ti/ SiO2/ Si( 100) 基底上生长了掺 钛酸铅 本文用射频磁控溅射技术在 Si( 100) 基底上沉积
[(Pb0.9, La0. 1) TiO3 , PLT10]铁电薄膜。用X 射线衍 了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄 ,并在PLT 薄 上使用
射技术(XRD) 研究了PLT10 薄膜结晶性能。使用光 光刻工艺制备了叉指电极。利用叉指电极测试了
刻工艺在 Si( 100) 基底的PLT10 薄膜上制备了叉指 PLT 薄 的介电性能。为了比较研究不同电极对
电极, 测试了PLT10 薄膜的介电性能。在室温下, 测 PLT 薄 的介电性能的影响, 用相同工艺条件在Pt/
试频率为 1k z 时, PLT10 薄膜的介电常数为 386。
Ti/ SiO2/ Si( 100) 基底上生长了PLT 10 薄 , 并在其
而采用相同工艺条件制备的具有平行电极结构的
上面制备了圆点状的上电极,并测试了具有平行电极
PLT10薄膜, 其介电常数为365。但利用叉指电极测
PLT 10 薄 介电性能。
试的PLT 10 薄膜的介电常数和介电损耗随频率的下
降比利用平行电极测试的PLT10 薄膜的快些。这是 2
因为叉指电极结构引入了更多的界面态影响的缘故。
在中国科学院沈阳科学仪器研制中心出品的
: ;; ;
: O484.5 : A JGP560C10 高真空多靶磁控溅射仪上使用陶瓷靶在
: 1001-9731(2006) 10-1554-03 Si( 100) 基底和Pt/ Ti/ SiO2/ Si( 100) 基底上制备了高
质量的PLT 10 铁电薄 ,两种基底上的薄 采用完全
1
相同的制备条件,如表1所示。
近十几年来,铁电薄 作为一种重要的功能材料, 1 PLT10
其原理、制备、微结构、测试和表征等得到了迅速的发 Table 1 Deposition conditions for PLT10 films
[ 1]
展,其应用日益广泛 ,可用来制备微电子机械系统器
项 目 参数
件(MEMS) 、非挥发性铁电随机存取存储器( NV-
靶材 PLT10 陶瓷靶, 直径50mm
FRAM) 、热释电红外探测器(
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