IPDiA 硅电容技术资料.pdf

3D硅电容器  HSSC 高稳定性与高可靠性硅电容器 -  LPSC - 超薄硅电容器80µm厚  HTSC - 200°C高温硅电容器  XTSC - 250°C极限高温硅电容器  WBSC / WTSC / WXSC 引线键合立式硅电容器 -  WLSC 引线键合立式超薄硅电容器 -  EMSC - 引线键合与嵌入式超薄硅电容器  ETSC / EXSC - 200 高温 250°C 极限高温引线键合硅电容器 °C /  UBSC / ULSC 高带宽与超高带宽表贴硅电容器，最高带宽达67 GHz+ -  UBEC / ULEC - 高带宽与超高带宽嵌入式硅电容器，最高带宽达67 GHz+  UWSC - 超宽带立式引线键合硅电容器，工作带宽＞26GHz  ATSC - 200°C 高温汽车等级认证硅电容 Authorized Distributors 2016年8月 IPDiA简介 • 公司总部位于法国·诺曼底·卡昂 • 成立于2009年6月，从恩智浦半导体 (NXP)分离出来的独立公司 • 在半导体领域拥有超过50年成功经验，致力于制造前沿集成无 源器件 • IPDIA的产品已经被诸多在各行的客户采用，包括医疗电子领域 的前五名领军企业、两家主要 HBLED 制造商以及半导体和高可 靠性行业巨头。 • 厂区占地面积7公顷，包括： – IPDiA 总部 – 市场营销中心 – 研发中心 2 2 – 10000 m (110000 ft)硅晶圆厂 IPDIA 价值理念 • 应用微型化 – 模块：高密度集成 – 节约PCB面积 – 嵌入无源器件的硅裸片可取代外部 • 增强性能 SMD元件 – 根据应用场景兼容引线键合或回流焊 – 高温度稳定性，工作温度范围-55℃~250℃ 安装 – 高电压稳定性，可忽略不计的老化 – 高可靠性 (无开裂和极低失效率＜2ppm) – 低漏电流，延长电池寿命 • 降低成本 – 无PCB影响 – BOM level – 模块化制造更简单 – 集成无源器件，减小分立元器件数量 什么是 IPD? Integrated Passive Device 即集成无源器件 卓越性能+微型化 √单个硅裸片高效集成10~100片无源器件 2 √高电容集成度，达500nF/mm √超薄厚度，可达30μm √超高工作带宽，可达60GHz，低ESR/ESL √极限工作温度，可达250℃ √可靠性提升100倍 √高温稳定性（200℃，＜20ppm） IPDIA独