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《电工电子学及实验》(2021-2022-1)(浙江大学)中国大学mooc答案100分最新版
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作业第一章电路和电路元件第一章作业
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第一章电路和电路元件第一章测试题
1、电容具有()特性。
A:通低频阻高频
B:隔直流阻交流
C:通直流阻交流
D:隔直流通交流
答案:隔直流通交流
2、当电路中电流的参考方向与电流的实际方向相反时,该电流()。
A:一定为正值
B:一定为负值
C:不能肯定是正值或负值
D:有时为正值,有时为负值
答案:一定为负值
3、有一个2V电压源,内阻为0.1Ω,当外电路断路时,电路中的电流和端电压分别为()。
A:0A,2V
B:20A,0V
C:2A,0V
D:0A,0V
答案:0A,2V
4、当元件两端电压与通过元件的电流取关联参考方向时,且通过计算其电压、电流都为正,则该元件()功率。
A:吸收
B:发出
C:不能确定
D:有时吸收,有时发出
答案:吸收
5、已知3个串联电阻的功率分别为PR1=12W,PR2=16W,PR3=24W,电阻R1=3Ω,则电阻R2和R3的阻值分别为()A.R2=8Ω,R3=12ΩB.R2=6Ω,R3=4ΩC.R2=4Ω,R3=6ΩD.R2=2.25Ω,R3=1.5Ω
A:R2=8Ω,R3=12Ω
B:R2=6Ω,R3=4Ω
C:R2=4Ω,R3=6Ω
D:R2=2.25Ω,R3=1.5Ω
答案:R2=4Ω,R3=6Ω
6、电源置零,下列描述中正确的是()。
A:电压源开路,电流源短路
B:电压源短路,电流源开路
C:电压源短路,电流源短路
D:电压源开路,电流源开路
答案:电压源短路,电流源开路?
7、关于n个并联电阻的特征描述,下列哪个叙述是正确的()。
A:并联的电阻越多,等效电阻就越大。
B:并联电阻值越大,所分得的电流越大。
C:在理想电流源供电的情况下,当n个并联电阻中有一个电阻阻值为零时,电流源的两端电压为零。
D:在理想电压源供电的情况下,并联电阻值越小,所吸收的功率就越小。
答案:在理想电流源供电的情况下,当n个并联电阻中有一个电阻阻值为零时,电流源的两端电压为零。
8、在放大电路中,若测得某晶体管三个极的电位分别是6V,1.2V,1V,则该管为()。
A:NPN硅管
B:PNP锗管
C:NPN锗管
D:PNP硅管
答案:NPN锗管
9、对某电路中的一个NPN硅管进行测试,测得UBE>0,UBC>0,UCE>0,则此管工作在()。
A:放大区
B:饱和区
C:截止区
D:放大饱和区
答案:饱和区?
10、在晶体管放大电路中,若测得某晶体管的三个极的电位分别为9V,2.5V,3.2V,则这三个极分别为()。
A:C,B,E
B:C,E,B
C:E,C,B
D:E,B,C
答案:C,E,B
11、在放大电路中,若测得晶体管的三个极的电位分别为-9V,-6.2V,-6V,则-6.2V的那个极为()。
A:集电极
B:基极
C:发射极
D:以上都不是
答案:基极
12、晶体管工作在饱和状态时,()。
A:发射结正偏,集电结反偏
B:发射结正偏,集电结正偏
C:发射结反偏,集电结正偏
D:发射结反偏,集电结反偏
答案:?发射结正偏,集电结正偏?
13、双极型晶体管的控制方式是()。
A:输入电流控制输出电流
B:输入电压控制输出电压
C:输入电流控制输出电压
D:输入电压控制输出电流
答案:输入电流控制输出电流?
14、绝缘栅场效管的控制方式是()。
A:输入电流控制输出电流
B:输入电压控制输出电压
C:输入电流控制输出电压
D:输入电压控制输出电流
答案:输入电压控制输出电流
15、某场效晶体管当UDS>0、UGS<0时可导通,则此场效晶体管为()。
A:NMOS增强型管
B:NMOS耗尽型管
C:PMOS增强型管
D:PMOS耗尽型管
答案:NMOS耗尽型管
16、已知一个Us=20V的理想电压源与一个R=4Ω的电阻相并联,则这个并联电路的等效电路可用()表示。
A:Us=20V的理想电压源
B:Is=5A的理想电流源
C:Is=80A的理想电流源与R=4Ω的电阻相串联的电路
D:Is=5A的理想电流源与R=4Ω的电阻相串联的电路
答案:Us=20V的理想电压源
17、已知某一支路由一个Us=10V的理想电压源与一个R=2Ω的电阻串联,则这个串联电路对外电路来讲,可用()来进行等效。
A:Us=10V的理想电压源
B:Is=5A的理想电流源与R
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