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本申请涉及半导体技术领域,公开了一种SGTMOSFET器件及其制备方法,SGTMOSFET器件包括半导体衬底,半导体衬底的外延层上划分有元胞区;栅极结构,栅极结构包括元胞沟槽以及设于元胞沟槽内的沟槽栅,元胞沟槽在元胞区内沿第一方向和第二方向排列;元胞体区,元胞体区设于半导体衬底上,且位于相邻的沟槽栅之间;元胞源区,元胞源区设于半导体衬底上且对应排布在元胞体区的上表面;接触孔,接触孔位于相邻的沟槽栅之间的中心处,接触孔沿第一方向和第二方向均匀排列,沿第一方向排列的接触孔构成一单接触孔阵列,相邻
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117747671A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202410186177.9H01L21/336(2006.01)
(22)申请日2024.02
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