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公开了包括形成在背侧互连结构中的空气间隔件的半导体器件及其形成方法。在实施例中，器件包括：第一晶体管结构；在第一晶体管结构的前侧上的前侧互连结构；以及在第一晶体管结构的背侧上的背侧互连结构，该背侧互连结构包括：在第一晶体管结构的背侧上的第一介电层；延伸穿过第一介电层的第一通孔，该第一通孔电耦接到第一晶体管结构的第一源极/漏极区；电耦接到第一通孔的第一导电线；以及与第一导电线相邻的空气间隔件，该第一导电线限定空气间隔件的第一侧边界。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113675196A
(43)申请公布日2021.11.19
(21)申请号202110315555.5H01L23/48(2006.01)
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