半导体器件 第2部分分立器件 整流二极管.pdf

半导体器件第2部分:

分立器件整流二极管

1范围

本文件给出了下列各类或各分类整流二极管的标准，包括:

——一般整流二极管；

——雪崩整流二极管；

——快开关整流二极管；

——肖特基势垒二极管。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T2900.66-2004电工术语半导体器件和集成电路(IEC60050-521:2002,IDT)

IEC60747-1:2006半导体器件分立器件第1部分总则（Semiconductordevices–Part1:

General）

IEC60749-23半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命（Semiconductordevices

–Mechanicalandclimatictestmethods–Part23:Hightemperatureoperatinglife）

IEC60749-34半导体器件机械和气候试验方法第34部分：功率循环（Semiconductordevices–

Mechanicalandclimatictestmethods–Part34:Powercycling）

3术语和定义

IEC60747-1:2006和GB/T2900.66-2004（除521-05-18、521-05-25、521-05-26外）界定的以及

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

一般术语和定义

3.1.1

正向forwarddirection

直流电流沿半导体二极管低阻流动的方向。

3.1.2

反向reversedirection

直流电流沿半导体二极管高阻流动的方向。

3.1.3

阳极端anodeterminal

正向电流由外部电路流入的端（半导体整流二极管）。

1

3.1.4

阴极端cathodeterminal

正向电流向外部电路流出的端（半导体整流二极管）。

3.2

电压

3.2.1

正向电压forwardvoltage

VF

由正向电流的流动在两端间产生的电压。

3.2.2

正向峰值电压peakforwardvoltagecrestforwardvoltage

VFM

由高于规定的平均电流π倍的电流在两端间产生的电压。

3.2.3

正向恢复电压forwardrecoveryvoltage

Vfr

从零电压或规定的反向电压向规定的正向电流瞬时切换后,在正向恢复时间期间出现的变化的电

压。

3.2.4

反向电压reversevoltage

VR

加在二极管上的恒值反向电压。

3.2.5

反向重复峰值电压repetitivepeakreversevoltage

VRRM

反向电压的最大瞬时值，包括所有的重复瞬态电压,但不包括所有的不重复瞬态电压。

注：见图5。

3.2.6

反向不重复峰值电压non-repetitivepeakreversevoltage

反向瞬态峰值电压peaktransientreversevoltage

VRSM

所有不重复瞬态反向电压的最大瞬时值。

注：重复电压通常是电路的函数,并使器件耗散功率增加。不重复瞬态电压通常由外因引起,并假定其影响在下一

次不重复瞬态电压来临之前已完全消失。

3.2.7

击穿电压breakdownvoltage

VBR

在发生击穿的区域内的电压。

3.3

电流

3.3.1