一种可分离的复合碳化硅衬底及其制备和分离方法.pdfVIP

一种可分离的复合碳化硅衬底及其制备和分离方法.pdf

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本发明提出了一种可分离的复合碳化硅衬底,包括第一碳化硅单晶层、第二碳化硅单晶层以及位于两个碳化硅单晶层之间的非晶层;所述碳化硅衬底,对于波长为1030nm的光,第二碳化硅单晶层的透过率大于50%,非晶层的透过率小于0.2%。本发明得到的复合碳化硅衬底,采用波长为1030nm的激光束,从第二碳化硅单晶层射入,聚焦在非晶层,非晶层吸收激光能量发生结构分解,从而第一碳化硅单晶层与第二碳化硅单晶层自然分离,解决了碳化硅器件工艺中背面减薄的问题,能有效保持衬底性能稳定及与后续垂直器件工艺的兼容性,降低了后

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116741814 A (43)申请公布日 2023.09.12 (21)申请号 202210213635.4 B23K 26/57 (2014.01) (22)申请日 2022.03.

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