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本发明公开一种半导体装置以及其制作方法。半导体装置包括半导体基底、隔离结构、包覆层与栅极结构。半导体基底包括多个鳍状结构。隔离结构设置于多个鳍状结构之间。各鳍状结构包括第一部分与第二部分。第一部分设置于隔离结构的上表面之上。第二部分设置于第一部分上。第二部分的宽度小于第一部分的宽度。包覆层设置于各鳍状结构的第一部分与第二部分上,且包覆层具有一曲面。栅极结构跨设于多个鳍状结构上。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110047926 A
(43)申请公布日
2019.07.23
(21)申请号 20181
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