- 1、本文档共16页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
N April 1995
NDS0605
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description Features
These P-Channel enhancement mode power field -0.18A, -60V. RDS(ON) = 5 @ VGS = -10V.
effect transistors are produced using National's Voltage controlled p-channel small signal switch.
proprietary, high cell density, DMOS technology.
This very high density process has been designed High density cell design for low RDS(ON) .
to minimize on-state , provide rugged and High saturation current.
reliable performance and fast switching. They can
be used, with a minimum of effort, in most
applications requiring up to 0.18A DC and can
deliver pulsed currents up to 1A. This product is
particularly suited to low voltage applications
requiring a low current high side switch.
D
G S
Absolute um Ratings TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter NDS0605 Units
VDSS Drain-Source Voltage -60 V
V Drain-Gate Voltage (R < 1 M) -60 V
DGR GS
VGSS Gate-Source Voltage - Continuous ±20 V
I Dra urre
1亿VIP精品文档
相关文档
最近下载
- 建筑砂浆基本性能试验方法标准演示文稿.ppt VIP
- 完整版阻燃整理.ppt
- 2020园区电力专项规划内容深度规定.doc
- 2023年华侨、港澳、台联考高考物理试卷(含解析).pdf VIP
- 2023学堂《大数据系统基础》作业单元考核答案.docx
- 河南省郑州市2023届高三第一次质量预测理科数学试题(原卷版).docx VIP
- 初中物理滑轮基础练习题及标准答案.doc VIP
- T_CAGHP 057-2019 地质灾害防治排水工程施工技术规程(试行).docx VIP
- Joyoung九阳料理机DJ10E-K68R使用说明书.pdf
- 最新人教部编版四年级上册语文期末专项复习课件(分六大专题59页)-.ppt
文档评论(0)