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本实用新型涉及一种浮结型肖特基二极管,包括:衬底层1;外延层2,位于所述衬底层1上层;浮结区3,位于所述外延层2中间的矩形槽内;绝缘型多晶硅层4,位于所述浮结区3上层;沟槽5,位于所述绝缘型多晶硅层4上层;肖特基接触的阴极6,位于所述衬底层1下层;肖特基接触的阳极7,覆盖所述外延层2、所述绝缘型多晶硅层4和所述沟槽5。本实用新型提出的二极管,通过改善了浮结型肖特基二极管的工艺步骤,不需要二次生长外延层,同时,增大了器件击穿电压,减小了导通电阻,提升了功率优值,降低了工艺难度和成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210224043 U
(45)授权公告日
2020.03.31
(21)申请号 20192
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