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本发明公开了一种芯片、制备方法以及传感器,方法包括在衬底上形成硅通孔;其中,所述硅通孔的边线为直线或者曲线;当所述硅通孔的边线为直线时,所述硅通孔错位排列。本发明方法通过将硅通孔的边线加工成曲线,或者使边线为直线的硅通孔呈错位排列,使相邻的直线型硅通孔之间形成的位移矢量与衬底表面的晶向具有锐角或钝角的夹角,避免通孔位置处的微观晶体层面产生细小裂纹累积破坏衬底,在不需要制造工序的任何特殊调整的同时,使破片率从常规的80%降到0%,从根本上解决了晶圆破片的风险。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116605833 A
(43)申请公布日 2023.08.18
(21)申请号 202310574590.8 G01C 21/16 (2006.01)
(22)申请日 2023.05.
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