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本发明涉及动态随机存取存储技术领域，更具体的，涉及一种自回存10T‑SRAM单元、基于该种自回存10T‑SRAM单元构建的阵列结构、以及基于该种阵列结构构建的存内运算全阵列激活电路。本发明提供的自回存10T‑SRAM单元，通过复用电源端和地端，控制各个晶体管之间导通与关断相互配合，在单元内部进行充放电。不仅可以多种存内运算，还能实现自动回存运算结果，不需要额外的面积开销和功耗开销，应用场景更加广泛；并且两个操作符的输入相互独立，比传统结构更加灵活。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116469433 A
(43)申请公布日 2023.07.21
(21)申请号 202310463317.8
(22)申请日 2023.04.26
(71)申请人 安徽大学
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