信息光子技术重点专项2021年度项目申报指南.pdf

附件6 筐䕊筐筐 筐䇅⺁ （征求意见稿 ） 国家重点研发计划启动实施“信息光子技术”重点专项。 本重点专项总体目标是：积极抢抓新型光通信、光计算与存 储、光显示与交互等信息光子技术发展的机遇，重点研发相 关核心芯片与器件，支撑通信网络、高性能计算、物联网等 应用领域的快速发展，满足国家发展战略需求。 根据本重点专项工作部署，现提出2021年度项目申报 指南建议。2021年度指南部署坚持问题导向、分步实施、重 点突出的原则，拟围绕光通信器件及集成技术、光计算与存 储技术、光显示与交互技术等3 个技术方向，启动25 个指 南任务。 1. 光通信器件及集成技术 1.1 铌酸锂薄膜光子集成关键工艺及集成技术开发 （工艺与 共性技术类） 研究内容：针对当前欠缺薄膜铌酸锂光电子芯片加工工 艺平台问题，建设开放共享的薄膜铌酸锂光电子加工工艺平 台。建设薄膜铌酸锂光电器件工艺线，研究无源波导的传输 和损耗问题，研制滤波、偏振、模式等各类无源器件，研制 薄膜铌酸锂电光调制器件，进行一定规模的集成。开发光电 - 1- 子芯片的耦合封装技术。支撑国家重点研发任务的实施，为 我国关键科研院所和企业提供流片服务，为产业界和学术界 提供开放共享的芯片加工平台。 考核指标：建设面向前沿研究的纳米级薄膜铌酸锂光电 子芯片加工工艺平台，实现稳定的工艺流程，对社会开放共 享。具体考核指标包括： （1）开发出薄膜铌酸锂波导的标 准化制备方法，最高加工精度达到40nm。波导宽度误差小 于20 nm，刻蚀深度误差小于20 nm。波导传输损耗小于 0.5dB/cm，工艺可重复性优于90%。开发薄膜铌酸锂电调/ 热调波导器件的工艺，电调效率不低于3V•cm，热调效率不 低于150mW/π。基于此波导研制3dB 耦合器、波分复用器/ 解复用器、微环谐振器、偏振分束器、可调滤波器、光开关， 建立工艺开发包 （PDK ）； （2 ）开发出薄膜铌酸锂MZI 调 制器的标准结构与工艺参数，研制出标准薄膜铌酸锂调制器 芯片，调制器芯片带宽大于70GHz，半波电压小于3V，器 件性能波动幅度小于10%； （3）实现薄膜铌酸锂光电子芯 片的规模化集成，单片集成度不低于20 个单元器件； （4） 开发标准化的薄膜铌酸锂光电子芯片的耦合封装技术，采用 标准单模光纤与芯片耦合时，单端耦合损耗小于1.5dB。实 现薄膜铌酸锂集成芯片的射频封装技术标准化，射频接口带 宽不低于50GHz。 （5）建成纳米级薄膜铌酸锂光电子芯片 加工工艺平台，实现稳定的工艺流程，对社会开放共享。申 报发明专利20 项以上，相关行业技术标准或MSA 提案不少 于5 项，平台外单位的用户数不少于20 家，支撑3 项以上 -2 - “信息光子技术”专项项目的研发，实现典型示范应用，为 国内行业骨干企业和设计单位提供流片服务。 1.2PLC光子集成关键工艺及集成技术开发 （工艺与共性技 术类） 研究内容：针对我国PLC 光子集成芯片工艺平台加工能 力不足的问题问题，建设开放共享的SiO 基PLC 光子集成 2 加工工艺平台。建设和完善SiO 基PLC 光子集成工艺线， 2 研究掺杂SiO 无源波导的损耗和偏振等问题，研制功率分配、 2 波分复用、热光调制、相干混频等各类无源器件；开发SiO2 基PLC 光子集成芯片的耦合封装及自动化测试技术。支撑 国家重点研发任务的实施，为我国关键科研院所和企业提供 流片服务，为产业界和学术界提供开放共享的芯片加工平台。 实现我国SiO 基 PLC核心光子芯片自主可控开发及产业化， 2 服务我国光电子信息产业发展。 考核指标：1）开发出掺杂SiO 波导的标准化制备方法， 2 具备掺杂组分可调SiO 材料