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本发明提供一种用于霍尔效应测试的测试结构及其制备方法,测试结构包括:衬底层;位于所述衬底层上的测试外延层;位于所述测试外延层背向所述衬底层一侧表面的若干间隔的接触半导体层,所述接触半导体层中具有掺杂离子;位于部分所述接触半导体层背向所述测试外延层的一侧表面的测试电极。接触半导体层更容易形成欧姆接触,有利于注入电流,相邻的接触半导体层之间横向没有导通,不会造成测试外延层被接触半导体层短路,保证电路路径能满足霍尔效应测试,接触半导体层中的耗尽情况不会对下方的测试外延层造成影响,从而提高了测试结构的测
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113866613 B
(45)授权公告日 2022.02.22
(21)申请号 202111447251.0 (74)专利代理机构 北京三聚阳光知识产权代理
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