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本发明涉及半导体领域。一种提高沟槽MOS结构肖特基二极管性能的工艺方法，步骤一，取完成沟槽刻蚀的硅基片，湿法工艺去除硅基片正面硅表面二氧化硅层及其他介质层；步骤二，采用LPCVD工艺淀积生长一薄层掺氧多晶硅层；步骤三，采用LPCVD工艺淀积一薄层氮化硅层；步骤四，采用LPCVD工艺淀积一层无掺杂多晶硅层；步骤五，采用炉管热氧化工艺，对淀积的多晶硅层进行氧化，反应形成二氧化硅；步骤六，采用CVD工艺淀积原位掺杂的多晶硅，最终获得了器件所需的硅沟槽MOS结构。本发明提高了介质层的厚度均匀性，降低了介
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113517193 B
(45)授权公告日 2022.03.11
(21)申请号 202110366686.6 H01L 29/872 (2006.01)
(22)申请日
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