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一种半导体结构及其形成方法,以及激光熔丝熔断方法,所述半导体结构包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底上方的层间介质层以及位于所述层间介质层内的至少两层金属互连层;激光熔丝,位于底层金属互连层上方的任一金属互连层内,金属岛,位于所述激光熔丝下层的各金属互连层内,不同金属互连层内的金属岛之间通过导电接触孔连接,形成两条导电通路,所述激光熔丝通过导电接触孔串联所述两条导电通路;对准标记,与所述激光熔丝位于同一金属互连层内,作为对所述激光熔丝进行熔断时的激光对准的标记。所述对准标记与所述激光熔丝位于同一
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113394193 B
(45)授权公告日 2022.03.22
(21)申请号 202010174314.9 H01L 23/544 (2006.01)
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