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本申请提供了一种晶圆的键合程度的检测方法、检测装置和半导体工艺设备,该方法包括:获取晶圆在厚度方向上的截面,截面至少包括依次层叠的第一硅层、键合层和第二硅层,厚度方向平行于晶圆的厚度方向;控制压痕设备以预定载荷挤压第一硅层,以在第一硅层上产生裂纹;确定裂纹是否经过键合层并延伸至第二硅层,在裂纹经过键合层并延伸至第二硅层的情况下,确定晶圆的键合程度合格。该方法可以较为直观地对晶圆的中心区域、台阶区域等特定结构区域的键合程度进行确定,解决了现有技术中无法对晶圆的特定位置的界面键合强度进行测定的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112881283 B
(45)授权公告日 2022.03.11
(21)申请号 202110034420.1 (56)对比文件
(22)申请日 2021.01.11
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