《AuBe腐蚀操作培训》PPT课件.pptVIP

在腐蚀2 inch晶片时，我时常发现一些人双手拿着一整篮晶片在KI溶液里“猛转”，认为动作幅度越大反应越快，反应越均匀。其实不然，在你转动花篮的同时溶液也已相同的速度和花篮一起转动，这样以来，溶液与被腐蚀物质之间的相对运动就变小了，腐蚀的效果就自然没有预期的好。 若你放慢些速度，匀速并上下提动花篮，如此，溶液与被腐蚀物质之间的相对运动就变大了，腐蚀后的效果自然就变好了。 同样的道理，在腐蚀大尺寸晶片的时候，虽然使用的花篮不一样，腐蚀过程中也没有旋转，只有上下提动。但由于在提动的过程中造成了溶液的震荡，在此过程，溶液震荡的特征是周围强，中间弱。也就是说，溶液与被腐蚀物质“边缘区域”的相对运动“强”，而“中间区域”的相对运动“弱”。故，造成了边缘区域已被腐蚀干净，而中间区域还有较多残留金属。为了减少腐蚀干净的区域“被迫”继续腐蚀（即“过腐蚀”现象），推荐使用以下手法，如下图所示： 平面腐蚀法 手提花篮使晶片完全浸没在加热好的KI溶液中，当晶片接触溶液时，使用秒表开始计时，取出溶液后停止计时。腐蚀时，手握花篮一端，使装有晶片一端完全浸没在加热碘化钾溶液中，在此过程中手腕要不停地转动，大概2圈/秒，每腐蚀10±2s后取出冲水检查一次，残Au占单片面积5%以上的需继续腐蚀，在没有腐蚀过头的前提下尽量腐蚀干净。 操作手法 1）一次性装片数量最多5pcs，方便及时检查到位，避免因装片数量太多而“照顾不全”。 2）整片各个区域反应更均匀，减少了“过腐蚀”区域及“过腐蚀”的程度。 3）腐蚀过程中检查更方便，能直观掌握晶片个区域的反应程度。 优点 腐蚀好一整蓝晶片的时间相对较长 缺点 初步腐蚀过后的效果 金属腐蚀干净 残留金属 虽然还存在残留金属，但厚度已明显降低，后续金属被腐蚀的速率将加快。 由上图可以明显的看出，腐蚀过程中各个区域反应更均匀，与直立腐蚀法相比，大大减少了被“过腐蚀”的区域面积。在腐蚀的过程中，要多注意观察，及时转动晶片，减少已经腐蚀干净的区域继续被腐蚀，即减轻电极缩小程度和不良面积。 下表为两种腐蚀法效果对比： 边缘缩小 中间缩小 不良面积 直立腐蚀法 8-10% 4-6% 20-40% 平面腐蚀法 3-5% 2-4% 10%以下 终上所述，多进行实际操作，自己会得出新的认识！ 值得一提的是，有人质疑过这种方法的效率太低。那好，容我给大家算一笔账。 直立腐蚀法完整腐蚀好一整蓝30pcs晶片的时间是10min左右，在腐蚀后段时间内检查次数必须相当频繁，且还不可保证电极的完整性，不良率明显上升。而使用平面腐蚀法，完整腐蚀好一整蓝30pcs晶片的时间是25min左右。在整个腐蚀过程中，可以借助前面晶片的腐蚀时间及腐蚀手法的经验， 更好的腐蚀后续的晶片。它每次最大只能装载5pcs晶片，有更好的适应空间，不至于还没掌握好节奏，整篮30pcs都“过腐蚀”了。所以从整体上来看，最大程度的减少了不良片数，大大降低了不良率。另外，刚刚所说的“用平面腐蚀法完整腐蚀好一整蓝30pcs晶片的时间是25min左右”，这个时间也不是绝对的。你可以首先腐蚀1pcs，掌握其规律，第二次2pcs，后续再慢慢累加，以及腐蚀熟练性地提高，整个腐蚀时间就会缩短，预计可在20min内完成。当然，这也得靠各位努力才行！ 虽然平面腐蚀法在操作时间上是还有些不足，待于提高。但是就整体效果而言，已经明显超过直立腐蚀法。我们在生产制造，必须明确强调的是：首先必须确保的是品质！如果品质不过关，做得再快也是白做。若因电极缩小严重而返工，浪费的是大量的人力、物力、财力及时间，不良率也会升高，即使不返工，对后续工序也会造成较大的影响。 希望大家能明白这一点。 结束语 谢谢！ 白车身评审 * ? 目录 一、AUDIT 引入背景 二、BIW AUDIT 简介 三、BIW AUDIT 规范 四、BIW AUDIT 标准 * 一、BIW AUDIT引入背景 1、国内背景 以往的质量检验方法主要是站在生产者的角度看产品质量是否达标，其产品是否满足顾客的需求，只有等到产品投放市场后才能获知，往往给企业造成难以弥补的损失。 AUDIT起源于德国大众，是企业模拟用户对自己的产品质量进行内部监督的自觉行为，他适用与所有批量生产、质量稳定的产品。目前国内外一些大的汽车生产企业，均采用AUDIT对自己的产品进行内部监督。 各项指标均达到要求，合格 你们这是二手车吧！！！ * 一、BIW AUDIT引入背景 2、现状 冲压 涂装 焊装