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2021-07-22 发布于陕西
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双极晶体管和MOSFET基本工作原理 B ND-NA E C P n++ n 双极晶体管 + B E C n++ P+ n E-B空间 B-C空间电荷区电荷区 E np(x) pn(x) pn0 np0 pn(x) pn0 V ic = I s exp( BE ) V t 集电极电流由基极和发射极之间的电压控制。也就是说器件一端的电流由加到另外两端的电压控制。这就是晶体管的基本工作原理。结构源(S) 栅(G) 漏(D) D •  MOS场效应晶体管的电流之所以存在，是由于反型层以及与氧化层－ n+ n+ 半导体界面相邻的沟道区中的电荷 B 的流动。 G •  有多种类型MOSFET器件，图中为 p n型沟道增强型MOSFET 。增强的 S 含义为氧化层下面的半导体衬底在衬底或体(B) 零栅压时不是反型的，需要加正偏栅压才能产生电子反型层，从而把 n型源区和n型漏区连接起来。载流子（电子）从源区流向漏端。电流－电压关系源(S) VGS>VT +VDS 源(S) VGS<VT +VDS G G