Lesson 8 半导体表面和MIS结构.pdf

金属－半导体接触－回顾 功函数的概念 D 假定Wm>Ws Vq E0 s n Ec x s Φ m W Ec q W EFs EF EFm Ev Ev n E 半导体一边的势垒高度 qV = −qV = W − W D s m s 肖特基势垒高度 qφ = qV + E = −qV + E = W − W + E = W −χ ns D n s n m s n m 金属－半导体接触－回顾 金属－半导体接触－回顾 •  热电子发射理论 ∗ 2 ⎛ qφns ⎞ ⎡ ⎛ qφns ⎞ ⎤ J = J + J = A T exp − exp − − 1 s →m m→s ⎜ kT ⎟⎢ ⎜ kT ⎟ ⎥ ⎝ ⎠ ⎣ ⎝ ⎠ ⎦ = J sT (eqVF / kT − 1) ∗ 2 ⎛ qφns ⎞ J = A T exp − sT ⎜ ⎟ ⎝ kT ⎠ 金属－半导体接触－回顾 •  肖特基势垒二极管与pn结二极管的异同： 　　利用金属半导体整流接触特性制成的二极管称为肖持基势垒二极管， 它和Pn结二极 管具有类似的电流— 电压关系，即它们都有单向导电 性；但前者又有区别于后者的以下显著等 特