LED特性测量实验报告.pdf

LED 特性及光度测量实验 苏剑邦 A8 学号： 中山大学物理科学与工程技术学院 光信息科学与技术 邮政编码： 510275 中国图书馆分类号： O43 摘 要： 通过设计简单的测试装置，并对发光二极管进行 V －I 特性曲线、 P－I 特性曲线的 测量， 了解发光二极管的发光机理、 光学特性与电学特性， 并掌握其测试方法。 本文记录了 红光 LED 和绿光 LED 的电流、电压、功率和光通量测量数据，以此研究探讨 LED 发光器 件的发光特性。 关键词： LED V －I 特性 P－I 特性 光度 Measurement of the characteristics and luminosity of LED Sujianbang A8 ID: School of Science and Engineering of SUN YAT-SEN University Postal code: 510275 Abstract: This essay study the optical and electric characteristics of LED by measuring it ’s V-I curve and P-I curve. In this essay, data of electric current, voltage, power and luminous flux of LED are recorded in order to study its characteristics. Keyword: LED, V -I characteristic, P-I characteristic, luminosity 【实验原理】 LED是英文 light emitting diode （发光二极管）的缩写，它属于固态光源，其基本 结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封， 起到保护内部芯线的作用（如图一）。 常规的发光二极管芯片的结构如图二所示，主要分为衬底，外延层（图 2 中的 N 型氮化 镓，铝镓铟磷有源区和 P型氮化镓），透明接触层， P型与 N型电极、钝化层几部分。 1 图 2 、常规 InGaN / 蓝宝石 LED芯片剖面图 发光二极管的核心部分是由 p 型半导体 和n 型半导体组成的晶片，在 p型半导体和 n ＋ － 型半导体之间有一个过渡层，称为 p-n 结。 n ＋ － p （a） ＋ － 跨过此 p－n结，电子从 n型材料扩散到 p区， 而空穴则从 p 型材料扩散到 n 区，如右面 电场 的图 3 （a）所示。 作为这一相互扩散的结果， 电 － p （b ） 子 eΔV － ○ 在p －n结处形成了一个高度的 e ΔV 的势垒，