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2020-04-22 发布于北京
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§3.3 微波场效应晶体管 •GaAs MESFET •GaAs HEMT 1 GaAs MESFET Vgs 负压)增加，N沟道变薄，Ids变小； Vds 正压)增加，N沟道变厚，Ids变大； GaAs MESFET的结构示意图 2 GaAs MESFET •GaAs FET常用的直流和低频电参数包括：零栅漏极电流Idss、共源正向跨导g 、栅漏击穿电压BV 、夹断电压V 以及栅-源 m gds p 截止电流I 等。 gss •表征GaAs FET的频率参数f 由下式表示： T gm f T  2πC gs 式中，C 是FET的栅-源电容， g 是共源正向跨导，其 gs m 定义为：在共源电路中，固定漏压下，单位栅压改变引起的漏极电流改变，即，V =常数。 gm I ds Vgs ds 3 GaAs MESFET Vgs 负压)增加，N沟道变薄，Ids变小； Vds 正压)增加，N沟道变厚，Ids变大； Vgs/Vp=0 预夹断线 Vds=Vgs-Vp MESFET 中I 、与V 、V 的关系曲线 ds gs ds 4 GaAs MESFET vds v gs s g d    + + + （a ）    + + +    + + +