APG110N12PT 110A 120V TO-220 TO-263场效应管规格书.pdfVIP

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2020-03-31 发布于广东
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APG110N12PT 110A 120V TO-220 TO-263场效应管规格书.pdf

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APG110N12PIT 120V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG110N12P/T use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity or Invertors Applications Consumer electronic power supply Motor control Synchronous-rectification Isolated DC Synchronous-rectification applications Package Marking and Ordering Information Product ID Pack Marking Qty(PCS) APG 110N12P TO-220-3L APG 110N12P XXX YYYY 1000 APG 110N12T TO-263-3L APG 110N12T XXX YYYY 1000 Absolute Maximum Ratings at T =25℃ unless otherwise noted j Parameter Symbol Value Unit Drain source voltage VDS 120 V Gate source voltage VGS ±20 V 1) Continuous drain current , T =25 ℃ ID 110 A C